型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: TRIACs描述: 双向晶闸管硅双向晶闸管 Triacs Silicon Bidirectional Thyristors33025-24￥1.876525-49￥1.737550-99￥1.6402100-499￥1.5985500-2499￥1.57072500-4999￥1.53605000-9999￥1.5221≥10000￥1.5012 -
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品类: TRIACs描述: 双向晶闸管硅双向晶闸管 Triacs Silicon Bidirectional Thyristors30325-24￥1.701025-49￥1.575050-99￥1.4868100-499￥1.4490500-2499￥1.42382500-4999￥1.39235000-9999￥1.3797≥10000￥1.3608 -
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品类: TRIACs描述: 敏感的双向可控硅门 Sensitive Gate Triacs134610-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: TRIACs描述: 敏感的门双向可控硅硅双向晶闸管 Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors28655-24￥6.561025-49￥6.075050-99￥5.7348100-499￥5.5890500-2499￥5.49182500-4999￥5.37035000-9999￥5.3217≥10000￥5.2488 -
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品类: TRIACs描述: ON Semiconductor ### 三端双向可控硅开关元件 三端双向可控硅开关元件系列（三极管用于交流电，也称为双向闸流晶体管）。 它们用于交流切换和控制应用，电流额定值 1A 至 40A 有效值。 三端双向可控硅开关元件成为用于交流电路方便的开关。85035-24￥4.536025-49￥4.200050-99￥3.9648100-499￥3.8640500-2499￥3.79682500-4999￥3.71285000-9999￥3.6792≥10000￥3.6288 -
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品类: TRIACs描述: 三端双向可控硅开关元件，ON Semiconductor ### 三端双向可控硅开关元件 三端双向可控硅开关元件系列（三极管用于交流电，也称为双向闸流晶体管）。 它们用于交流切换和控制应用，电流额定值 1A 至 40A 有效值。 三端双向可控硅开关元件成为用于交流电路方便的开关。67865-24￥6.561025-49￥6.075050-99￥5.7348100-499￥5.5890500-2499￥5.49182500-4999￥5.37035000-9999￥5.3217≥10000￥5.2488 -
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品类: 双极性晶体管描述: STMICROELECTRONICS TIP125 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE67265-24￥2.349025-49￥2.175050-99￥2.0532100-499￥2.0010500-2499￥1.96622500-4999￥1.92275000-9999￥1.9053≥10000￥1.8792 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP45N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V13511-9￥54.326610-99￥51.2095100-249￥48.8939250-499￥48.5377500-999￥48.18151000-2499￥47.78072500-4999￥47.4245≥5000￥47.2018 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET50325-24￥2.403025-49￥2.225050-99￥2.1004100-499￥2.0470500-2499￥2.01142500-4999￥1.96695000-9999￥1.9491≥10000￥1.9224 -
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品类: 双极性晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP31CTU 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE35785-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFB23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V428410-99￥11.2080100-499￥10.6476500-999￥10.27401000-1999￥10.25532000-4999￥10.18065000-7499￥10.08727500-9999￥10.0125≥10000￥9.9751 -
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品类: 肖特基二极管描述: STMICROELECTRONICS STPS20M100SFP 小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 20 A, 850 mV, 530 A, 150 °C32375-49￥23.130950-199￥22.1424200-499￥21.5888500-999￥21.45051000-2499￥21.31212500-4999￥21.15395000-7499￥21.0551≥7500￥20.9562 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 V81441-9￥159.677510-49￥155.512050-99￥152.3185100-199￥151.2077200-499￥150.3746500-999￥149.26381000-1999￥148.5695≥2000￥147.8753 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP47P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -47 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -4 V 新65735-49￥15.034550-199￥14.3920200-499￥14.0322500-999￥13.94231000-2499￥13.85232500-4999￥13.74955000-7499￥13.6853≥7500￥13.6210 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。38435-49￥12.214850-199￥11.6928200-499￥11.4005500-999￥11.32741000-2499￥11.25432500-4999￥11.17085000-7499￥11.1186≥7500￥11.0664 -
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品类: 稳压芯片描述: TEXAS INSTRUMENTS LM3940IT-3.3/NOPB 固定电压稳压器, LDO, 0V至7.5V, 500mV压差, 3.3V输出, 1A输出, TO-220-3570810-99￥9.6120100-499￥9.1314500-999￥8.81101000-1999￥8.79502000-4999￥8.73095000-7499￥8.65087500-9999￥8.5867≥10000￥8.5547 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635-49￥26.991950-199￥25.8384200-499￥25.1924500-999￥25.03101000-2499￥24.86952500-4999￥24.68495000-7499￥24.5696≥7500￥24.4542 -
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品类: MOS管描述: STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-22033415-24￥5.062525-49￥4.687550-99￥4.4250100-499￥4.3125500-2499￥4.23752500-4999￥4.14385000-9999￥4.1063≥10000￥4.0500 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。88285-24￥6.048025-49￥5.600050-99￥5.2864100-499￥5.1520500-2499￥5.06242500-4999￥4.95045000-9999￥4.9056≥10000￥4.8384 -
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品类: MOS管描述: 500V,5.4A,500mOhm,N沟道功率MOSFET133810-99￥9.4200100-499￥8.9490500-999￥8.63501000-1999￥8.61932000-4999￥8.55655000-7499￥8.47807500-9999￥8.4152≥10000￥8.3838 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics21435-49￥19.819850-199￥18.9728200-499￥18.4985500-999￥18.37991000-2499￥18.26132500-4999￥18.12585000-7499￥18.0411≥7500￥17.9564 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220AB95635-24￥5.589025-49￥5.175050-99￥4.8852100-499￥4.7610500-2499￥4.67822500-4999￥4.57475000-9999￥4.5333≥10000￥4.4712 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET958010-99￥10.3080100-499￥9.7926500-999￥9.44901000-1999￥9.43182000-4999￥9.36315000-7499￥9.27727500-9999￥9.2085≥10000￥9.1741 -
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品类: IGBT晶体管描述: 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT49775-49￥29.565950-199￥28.3024200-499￥27.5948500-999￥27.41801000-2499￥27.24112500-4999￥27.03895000-7499￥26.9126≥7500￥26.7862 -
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品类: 二极管阵列描述: 30A，STMicroelectronics ### 二极管和整流器，STMicroelectronics21175-24￥3.429025-49￥3.175050-99￥2.9972100-499￥2.9210500-2499￥2.87022500-4999￥2.80675000-9999￥2.7813≥10000￥2.7432 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39265-24￥4.131025-49￥3.825050-99￥3.6108100-499￥3.5190500-2499￥3.45782500-4999￥3.38135000-9999￥3.3507≥10000￥3.3048 -
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品类: MOS管描述: N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics58965-49￥20.767550-199￥19.8800200-499￥19.3830500-999￥19.25881000-2499￥19.13452500-4999￥18.99255000-7499￥18.9038≥7500￥18.8150 -
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品类: MOS管描述: TO-220 整包84505-24￥6.453025-49￥5.975050-99￥5.6404100-499￥5.4970500-2499￥5.40142500-4999￥5.28195000-9999￥5.2341≥10000￥5.1624 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF9N90CT 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 900 V, 1.12 ohm, 10 V, 3 V45515-49￥14.940950-199￥14.3024200-499￥13.9448500-999￥13.85551000-2499￥13.76612500-4999￥13.66395000-7499￥13.6001≥7500￥13.5362 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF33N25T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V372310-99￥8.0760100-499￥7.6722500-999￥7.40301000-1999￥7.38952000-4999￥7.33575000-7499￥7.26847500-9999￥7.2146≥10000￥7.1876
